lcd顯示屏紫外光試驗(yàn)箱
lcd顯示屏紫外光試驗(yàn)箱-DT&E概述
關(guān)鍵技術(shù)特性。將評(píng)價(jià)基礎(chǔ)和每個(gè)階段相應(yīng)的關(guān)鍵技術(shù) 特性的獲得聯(lián)系起來(lái)。建立試驗(yàn)矩陣設(shè)計(jì)，將技術(shù)特性和試驗(yàn)分 析目標(biāo)聯(lián)系起來(lái)。提交時(shí)應(yīng)考慮下述問(wèn)題：
①技術(shù)特性。描述關(guān)鍵性科學(xué)、工程和技術(shù)特性以及對(duì)髙計(jì) 劃風(fēng)險(xiǎn)有影響的人機(jī)工程問(wèn)題。
②可靠性、可用性和維修性（RAM)。規(guī)定在RAM試驗(yàn)期間 要作評(píng)價(jià)的工程要求和使用要求。
③系統(tǒng)安全。規(guī)定要作評(píng)價(jià)的關(guān)鍵性安全要求。
④后勤保障能力。規(guī)定在DT&E過(guò)程中要作出評(píng)價(jià)的后勤 保障能力要求。
⑤軟件試驗(yàn)和評(píng)估。規(guī)定任務(wù)關(guān)鍵計(jì)算機(jī)資源的軟件試驗(yàn) 以驗(yàn)證產(chǎn)品。
⑥階段分界點(diǎn)DI后期的各項(xiàng)改進(jìn)。
⑦核生存力。規(guī)定在DT&E過(guò)程中要作出評(píng)價(jià)的工程核防 護(hù)要求。
⑧化學(xué)、生物、放射（CBR)生存力要求。規(guī)定在DT&E過(guò)程 中要作出評(píng)價(jià)的CBR污染生存力要求。
⑨電磁敏感度。規(guī)定系統(tǒng)對(duì)電磁輻射威脅如射率、光電、紅 外線(xiàn)、非核電磁脈沖等的致命度測(cè)定要求。
⑩訓(xùn)練。規(guī)定需作評(píng)價(jià)的訓(xùn)練問(wèn)題。
DT&E現(xiàn)狀。概述已經(jīng)執(zhí)行的DT&E情況。簡(jiǎn)要描述試 驗(yàn)件（如試驗(yàn)板、預(yù)研模型、試生產(chǎn)樣機(jī)、生產(chǎn)配置等）同時(shí)說(shuō)明它 們與計(jì)劃批生產(chǎn)件有何不同。簡(jiǎn)述要求特性有關(guān)的關(guān)鍵性DT&E 事件和結(jié)果以及早些時(shí)候的國(guó)防部長(zhǎng)辦公廳(OSD)決策中規(guī)定的 特性。概要介紹目前的評(píng)價(jià)成果并說(shuō)明關(guān)鍵技術(shù)特性的證實(shí)程度。如果模擬是DT&E工作的主要部分，要說(shuō)明這些模擬是如何 證實(shí)有效的。本小節(jié)是討論DT&E的一個(gè)步驟。
系統(tǒng)和子系統(tǒng)重新試驗(yàn)的特殊要求。如在T&E早期階 段或早期活動(dòng)中發(fā)現(xiàn)致命的任務(wù)失敗，則應(yīng)逐項(xiàng)討論失敗的性質(zhì)、 所需的改正措施（包括時(shí)間安排）以及DT&E重新試驗(yàn)驗(yàn)證的 進(jìn)度。
lcd顯示屏紫外光試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù)
※、樣架:鋁合金制作，兩邊均勻分布，每件尺寸80×300mm
※、紫外燈型號(hào):UVA燈管8支或UVB燈管8支前后兩邊均勻分布。（訂貨時(shí)說(shuō)明）
※、紫外燈波長(zhǎng):280～400nm
※、加濕方式:電熱式蒸氣發(fā)生加濕。
※、溫度范圍:RT+10℃～70℃（冷凝時(shí)）溫度波動(dòng)度±0.5℃
※、濕度范圍:≥95%
※、只需要幾天或幾周時(shí)間，設(shè)備可以再現(xiàn)戶(hù)外需要數(shù)月或數(shù)年所產(chǎn)生的破壞。所造成的損害主要包括退色、變色、亮度下降、粉化、龜裂、變模糊、脆化、強(qiáng)度下降及氧化。設(shè)備提供的測(cè)試數(shù)據(jù)在對(duì)新材料的選擇、對(duì)現(xiàn)有材料的改進(jìn)或評(píng)估影響產(chǎn)品耐用性的組成變化等方面有極大的幫助。設(shè)備可以極好地預(yù)測(cè)產(chǎn)品將在戶(hù)外遭遇的變化。紫外線(xiàn)（UV）與陽(yáng)光的模擬。
※、盡管紫外光（UV）只占陽(yáng)光的5％，但是它卻是造成戶(hù)外產(chǎn)品耐用性下降的主要光照因素。這是因?yàn)殛?yáng)光的光化學(xué)反應(yīng)影響隨著波長(zhǎng)的減少而增加。因此在模擬陽(yáng)光對(duì)材料物理性質(zhì)的破壞影響時(shí)，不需要再現(xiàn)整個(gè)陽(yáng)光光譜。在大多數(shù)情況下，只需要模擬短波的UV光即可。
